materials science and engineering

ارائه دهنده مطالب جامع و بروز در مورد علم و مهندسی مواد

materials science and engineering

ارائه دهنده مطالب جامع و بروز در مورد علم و مهندسی مواد

شیشه فوق باریک دو اتمی گینسی شد

behnam rahimi | جمعه, ۲۸ فروردين ۱۳۹۴، ۰۶:۰۴ ب.ظ

دانشمندان دانشگاه کورنل و دانشگاه اولم آلمان در کشفی تصادفی توانسته‌اند رکورد جدیدی برای نازکترین ورق شیشه‌ای جهان ثبت کنند که تنها دو اتم ضخامت دارد.

به گزارش سرویس علمی خبرگزاری دانشجویان ایران(ایسنا)، این دانشمندان که در حال کار بر روی تولید گرافت خالص بودند، متوجه شکل‌گیری یک تکه آشغال شدند اما تحلیلهای بیشتر نشان داد که در حقیقت یک لایه شیشه از سیلیکون و اکسیژن است.2.0-24.jpg

این دستاورد در حقیقت بطور اتفاقی بوده و دانشمندان بر این تصورند که یک نشت هوا باعث واکنش میان ورقه‌های مسی مورد استفاده برای کار گرافن و یک کوره کوارتز شده است.

علیرغم اندازه بسیار کوچک این قاب شیشه‌ای، دانشمندان توانسته‌اند درک بهتری از ساختار هسته شیشه پیدا کنند. آنها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی یک تصویر تولید کرده‌اند که چیدمان دقیق اتمها در شیشه را نشسان می‌دهد. خود این فرآیند یک رکورد دیگر را ثبت کرده است.

دانشمندان با برخورداری از این فرصت تحلیل نزدیک دریافتند که ویلیام هولدر زاخاریاسن، فیزیکدان نروژی در سال 1932 از فاصله بسیار کمی تا نقشه‌برداری چیدمان صحیح برخوردار بود.

با توجه به پیامدهایی که این شیشه دوبعدی می‌تواند برای جهان واقعی به همراه داشته باشد، کارشناسان بر این باورند که این دستاورد می‌تواند در آینده در ترازیستورها مورد استفاده قرار گرفته و در نهایت به افزایش سرعت پردازش در رایانه‌ها و تلفنهای همراه هوشمند منجر شود.

این رکورد شیشه‌ای جدید در نسخه 2014 کتاب گینس منتشر خواهد شد.

  • behnam rahimi

به گفته محققان چینی، آلیاژی از آلومینیوم و انتیمون در نسل آینده حافظه‌های تغییر فاز، فناوری ذخیره‌سازی داده‌ها را متحول خواهد کرد.

به گزارش سرویس فناوری خبرگزاری دانشجویان ایران (ایسنا)، حافظه‌های تغییر فاز به عنوان جایگزینی برای حافظه‌های فلش مطرح می‌شوند؛ حافظه تغییر فاز از عملکرد بسیار سریعتری در برابر حافظه فلش با حجم ذخیره‌سازی بسیار محدود داده‌ها برخوردار است.198-9.JPG

مواد تغییر فاز زمانی که در معرض جریان الکتریکی قرار می‌گیرند، بسرعت از ساختار بی‌نظم به ساختار کریستالی تغییر شکل پیدا می‌کنند.

ساختار جدید دوستدار محیط زیست، دارای مقاومت بالای الکتریکی در حالت غیر کریستالی و مقاومت پایین در حالت کریستالی است.

عملکرد حافظه‌های فلش زمانیکه اندازه دستگاه به کمتر از 20 نانومتر برسد، دچار مشکل می‌شوند؛ اما دستگاه حافظه تغییر فاز می‌تواند ابعادی کمتر از 10 نانومتر داشته باشد که اجازه فشرده سازی تعداد بیشتری حافظه در فضاهای کوچک را امکانپذیر می‌کند.

«شیلین ژو» از محققان موسسه فناوری اطلاعات و میکروسیستم شانگهای تأکید می‌کند: داده‌ها بسرعت بر روی حافظه‌های تغییر فاز نوشته می‌شوند و قیمت این دستگاه‌ها در مقایسه با نمونه‌های دیگر بسیار ارزان‌تر هستند.

نتایج این مطالعه در مجله موسسه فیزیک آمریکا Applied Physics Letters منتشر شده است.

  • behnam rahimi

افزایش صد برابری جریان عبوری از سیم مسی با نانولوله کربنی

behnam rahimi | جمعه, ۲۸ فروردين ۱۳۹۴، ۰۶:۰۲ ب.ظ

محققان ژاپنی موفق به ساخت رشته سیمی شدند که می‌توان یکصد برابر رشته‌ سیم‌های مسی معمولی جریان از آن عبور داد.

به گزارش سرویس فناوری ایسنا، قانون مور یکی از دغدغه‌های تولیدکنندگان صنعت نیمه‌هادی است، مدت‌هاست که محققان به دنبال کوچک‌سازی قطعات الکترونیکی هستند، یکی از راهبردها برای رسیدن به این هدف الکترونیک تک مولکولی است. حافظه‌های مولکولی نیز ابزاری دیگر برای رسیدن به این هدف هستند.

ادوات الکترونیکی هر روز کوچک‌تر شده و عملکرد آنها افزایش می‌یابد که این مستلزم عبور دانسیته جریان بیشتر از این ادوات است، در واقع رشته‌های طلا و مس جریان بیشتری را از خود عبور می‌دهند. اما این سیم‌ها نیز محدودیتی برای عبور جریان دارند، بنابراین باید سیم‌های رسانایی با قابلیت عبور بیشتر جریان الکتریسته تولید کرد.

در این راستا محققان مرکز تحقیقات نانولوله‌کربنی در ژاپن به فکر استفاده از نانولوله کربنی برای این کار افتادند. این گروه با افزودن نانولوله کربنی به مس موفق به تولید کامپوزیت رسانایی شدند که هم هدایت الکتریکی بالاتری نسبت به مس داشته و هم ظرفیت عبور جریان بیشتری را دارد. این دستاورد برای تولید ادوات الکترونیکی سریع‌تر و کوچک‌تر بسیار مناسب است.

سیم‌های مسی باید پیوند بین اتمی بسیار قوی داشته باشند، اما در این نانوکامپوزیت جدید پیوندهای ضعیف می‌تواند منشاء الکترون‌های آزاد شوند. بنابراین با بهره‌گیری از مزایای مس و نانولوله‌کربنی در یک نانوکامپوزیت ماده‌ای رسانا و مستحکم برای عبور جریان با دانسیته بالاتر ساخته می‌شود.

محققان نشان دادند که این سیم جدید می‌تواند یکصد برابر بیشتر از رشته‌ سیم‌های معمولی جریان الکتریسیته را از خود عبور دهد. دلیل بهبود ظرفیت عبور جریان در این نانوکامپوزیت، تقویت ساختاری آن است. در واقع نانولوله‌های کربنی موجب ممانعت از حرکت اتم‌ها در حین عبور الکترون می‌شود؛ پدیده‌ای که به مهاجرت در اثر جریان (electromigration) موسوم است. نکته مهمتر در این است که ایجاد این خاصیت فیزیک به قیمت قربانی شدن هدایت الکتریکی نانوکامپوزیت تمام نشده است، بلکه هدایت الکتریکی آن کاملا مشابه مس خالص است.

برای تولید این نانوکامپوزیت، محققان از روش رایج پراکندگی یونی مس- نانولوله استفاده نکردند، بلکه مس را به روش الکتروشیمیایی روی زیرلایه‌ای حاوی نانولوله‌های کربنی نشست دادند. محصول بدست آمده یک رشته سیم است که در آن نانولوله‌کربنی روی مس چند بلوری حاوی مرزهای دانه متعدد را گرفته است.

  • behnam rahimi

سنتز نانوذرات فلزی با رفتار مغناطیسی نجیب

behnam rahimi | شنبه, ۱۵ فروردين ۱۳۹۴، ۱۲:۰۳ ق.ظ

فلزات نجیب مغناطیسی، این پتانسیل را دارند که کاربردهای علم مواد بر پایه نانومواد را در زمینه‌های مختلف از جمله کاتالیزگرها، خودآرایی و… به طور قابل ملاحظه‌ای توسعه دهند. پیش‌بینی شده که این ترکیبات انقلابی در عرصه علوم دارویی، به خصوص در زمینه‌های شناسایی مولکول‌های زیستی، کنترل کارآیی داروها و درمان سرطان ایجاد نماید. روش‌های متعددی ارائه شده‌اند که می‌توانند جهت سنتز فلزات نجیب مغناطیسی مورد استفاده قرار گیرند. از جمله‌ این روش‌ها می‌توان به گونه‌های پوشاننده، فرسایش لیزری، نانوقالب‌گیری به وسیله‌پلیمرها، و تعبیه در زئولیت‌ها اشاره نمود. روش‌های ذکر شده، تنها چند نمونه از روش‌های سنتزی ترکیبات یاد شده بوده و مسلماً روش‌های سنتز این ترکیبات تنها به روش‌های ذکر شده محدود نمی‌شوند. علیرغم ممان‌های مغناطیسی بالای به دست آمده در مورد این ترکیبات، برای یافتن کاربرد برای این ترکیبات، لازم است مقادیر بالایی از ترکیب مورد نظر مورد استفاده قرار گیرد تا به قدرت مغناطیسی مورد نظر برسیم. این امر موجب افزایش تقاضا برای یافتن روش‌های سنتزی برای این ترکیبات شده است. در اینجا دو مورد از روش‌های تهیه فلزات نجیب مغناطیسی آورده خواهد شد. روش‌هایی که ذکر خواهند شد به راحتی در دمای اتاق قابل انجام بوده، همچنین روش‌هایی سریع می‌باشند که می‌توان در یک ظرف واکنش انجام گیرند. قابلیت تولید مجدد، توان کنترل ابعاد ذرات از حد نانومواد تا حد میلیمتر از دیگر مزایای سنتز ترکیبات به روش‌های حاضر می‌باشد.

یافته‌های پیشین در مورد فلزات نجیب مغناطیسی بر روی نانوذرات و همچنین اشباع مقادیر مغناطیسی متمرکز می‌بودند؛ تا جایی که مقدار مغناطیس ۱۳ آمپرمترمربع‌برکیلوگرم گزارش شد که تقریباً در حد ۵ درصد آهن حجیم است. برخی روش‌های سنتزی منجر به تولید نمونه‌های (ابر)پارامغناطیس شدند، در حالی که مواد فرومغناطیس از طریق روش‌های دیگر به دست آمدند. هدف اساسی در تمام روش‌های موجود، کاهش فلزات واسطه مانند هگزاکلروپلاتین می‌باشد. در نتیجه شرایط آماده‌سازی، شدیداً ابعاد ذرات را تحت تأثیر خود قرار می‌دهد.

به عنوان مثال، هنگامی که نانوذره سنتز شد، به صورت خوشه‌ای درآمده و رسوب می‌کند، مگر اینکه به نحو مناسبی حفاظت شود. برای پیشگیری از رسوب نانوذرات، از روش‌هایی مانند قالب‌گیری به کمک میکروامولسیون، افزایش یک گونه پوشش‌ساز و… نانوذرات به طور همگن جدا شده به صورت یکنواخت تهیه می‌شوند.

روشی که در گروه تحقیقاتی دکتر کوپر به انجام رسیده، شامل کاهش فلز نجیب مانند هگزاکلروپلاتینات (H۲PtCl۶) استفاده شده که تحت شرایط استاندارد و به کمک ترکیبات مکاهنده مانند هیدرازین احیا شده‌اند. البته در روش گزارش شده، تفاوتی که با روش‌های استاندارد پیشین وجود دارد، حضور یک میدان مغناطیسی است. حضور این میدان به جهت کنترل خواص مواد سنتزی بوده است. میدان‌های قوی‌تر، منجر به تولید مواد فرومغناطیس شده؛ در حالی که غیاب میدان موجب شده ذرات سنتزی خواص مغناطیسی از خود بروز ندهند. نانوذرات دارای خواص مغناطیس که به طور همگن پراکنده شده‌اند به کمک قالب‌های میکروامولسیونی تهیه می‌شوند. این در حالی است که می‌توان در غیاب گونه‌های حفاظت‌کننده، ترکیبات خوشه‌ای از نانوذرات تهیه نمود.

nnano.2013.34-f1


12

شکل ۱. تصویر میکروگراف TEM از نانوذرات خوشه‌ای پلاتین مغناطیسی در حالت‌های بزرگنمایی و نمای نزدیک

در ابتدای انجام کار، با کمک تکنیک‌های ICP–AES, XRD, EDS عدم فعالیت مغناطیسی تأیید می‌شود. به طور تجربی اثبات شده که سنتز در غیاب میدان مغناطیسی منجر به خواص مغناطیسی در محصولات نخواهد شد. بررسی‌های نظری ممان مغناطیسی نانوذرات با ساختار‌های بلور ین شامل اتم‌های مغناطیسی را پیش‌بینی می‌نمایند. برای هر نانوذره، هر ساختار بلورین، ممان مغناطیسی قابل توجهی خواهد داشد؛ این مقدار برای ذرات بزرگ‌تر به مراتب کوچک‌تر از نانوذرات است. ساختارهای بلورین نانوذرات بررسی شده در این پ‍ژوهش که از فلزات مغناطیسی نجیب سنتز شده‌اند، تفاوت ساختاری قابل توجهی با ساختارهای بلورین فلزات حجیم ندارد. در حقیقت، تفاوت اصلی به خواص ویژه سطح نانوذرات بر می‌گردد. ناهمسانگردی سطح نانوذرات، دلیل اصلی ایجاد چنین میدان‌های بزرگی است؛ علی‌الخصوص در مورد ترکیباتی که در سایر حالات غیرمغناطیسی هستند. به عنوان مثال، استقرار المترون‌های سطح توسط نیروهای قوی (مثلاً در تیول‌ها و یا الکل‌ها) و یا ضعیف (مثلاً در آمین‌ها) با گونه‌های حفاظت کننده تشکیل پیوند داده، که موجب ایجاد نقص شبکه بلورین شدید شده، این نقص در شبکه‌بلورین دلیل ایجاد خاصیت مغناطیسی در نانوذرات فلزات نجیب می‌باشد. میدان حاصله، موجب جهت‌گیری آرایش و خودآرایی نانوذرات می‌شود، به گونه‌ای که با ارتقای خواص سطح، موجب تشدید خاصیت مغناطیسی می‌گردد.

این کار توسط گروه تحقیقاتی  دکتر کوپر در بخش مهندسی شیمی دانشگاه صنعتی دلفت هلند انجام شده و در مجله معتبر لانگیمور با آدرس مقابل  Koper G. J. M., et.al, Langmuir ۲۰۱۱, ۲۷, ۷۷۸۳–۷۷۸۷ به چاپ رسیده است.

  • behnam rahimi

مهندسی سطح -نانو ذرات اکسید آهن برای درمان هدفمند سرطان

behnam rahimi | شنبه, ۱۵ فروردين ۱۳۹۴، ۱۲:۰۰ ق.ظ

فناوری نانو یک خط مشی انعطاف پذیر برای توسعه نانومواد موثر درمانی که به طور خاص می توانند با یک هدف در سیستم بیولوژیکی ارتباط برقرار کنند و موجب تحریک پاسخ مورد نظر شوند، فراهم می کند. در میان نانومواد مورد مطالعه، نانوذرات اکسید آهن به عنوان یکی از کاندیداهای کارآمد برای درمان سرطان، مطرح شده اند. سوپر پارامغناطیسی ذاتی آنها، تصویربرداری رزونانس مغناطیسی غیر تهاجمی(MRI) را ممکن می سازد و قابلیت تجزیه بیولوژیک آنها ، برای کاربردهای in vivo مفید است.

نانوذرات اکسید آهن سوپرمغناطیسی درمانی(SPION) به طور معمول از سه جزء اولیه تشکیل شده اند:

یک هسته نانوذرات اکسید آهن است که به عنوان یک حامل برای درمان و همچنین عامل کنتراست در MRI بکار می رود، یک پوشش بر روی نانوذرات اکسید آهن که برهمکنش مطلوب بین SPION و سیستم بیولوژیکی ارتقا می دهد، و پی لود درمانی(payload اجناس مقرون بصرفه برای حمل و نقل درمانی) که عملکرد معینی را در in vivo انجام می دهد.

اغلب، این طرح ممکن است شامل یک لیگاند هدف که گیرنده های بیش از حد بیان شده بر روی سطح بیرونی سلول های سرطانی را شناسایی می کند، باشد. بدن یک سیستم بسیار پیچیده ای است که موانع فیزیولوژیکی و سلولی زیادی بر اشیاء خارجی تحمیل می کند. بنابراین، موفقیت SPION درمانی تا حد زیادی بر روی طراحی هسته اکسید آهن ، برای اطمینان از تشخیص آن در MRI  ،و پوشش ها که اجازه می دهد نانوذرات از این موانع عبور کنند، متکی است. استراتژی برای گذشتن از موانع فیزیولوژیکی مانند کبد، کلیه و طحال، شامل تنظیم اندازه کلی و شیمی سطح SPION در به حداکثر رساندن نیمه عمر خون و تسهیل حمل دارو در بدن است. استراتژی برای گذشتن از موانع سلولی شامل استفاده از عوامل هدف (targeting agents) در به حداکثر رساندن جذبSPION  توسط سلول های سرطانی و بکاربردن موادی که تردد (آمد و شد) داخل سلولی مطلوب را افزایش می دهد و آزاد شدن دارویی کنترل شده را قادر می سازد، می باشد. پی لود برای حمل و نقل دارو می تواند ژن ها، پروتئین ها، داروهای شیمی درمانی، یا ترکیبی از این مولکولها باشد. هر نوع مولکول درمانی به یک طراحی پوشش خاص در به حداکثر رساندن بار و ایجاد رهایش و آزاد شدن (delivery, release)موثر نیاز دارد. با این حساب، پارامترهای طراحی اولیه در توسعه SPION های درمانی با تمرکز بر طراحی پوشش سطح برای غلبه بر موانع تحمیل شده توسط سیستم دفاعی بدن مطالعه شده است.

 در این مقاله نمونه هایی از اینکه چگونه این پارامترهای طراحی برای تولید SPION ها برای کاربردهای درمانی مشخص، تکمیل شده اند، ارائه شده است. اگر چه هنوز هم چالش هایی وجود دارد که باید به آنها رسیدگی شود، SPIONs  ها امید بزرگ در تشخیص موفق و درمان  مخرب ترین سرطان ها نشان می دهد. هنگامی که پارامترهای طراحی بحرانی بهینه سازی شدند، این نانوذرات، در ترکیب با روشهای تصویر برداری، می تواند به عنوان عوامل واقعا چند منظوره theranostic  که نه تنها یک عملکرد درمانی انجام می دهند بلکه بازخورد بالینی فوری ارائه می دهند و به پزشک اجازه می دهد که برنامه درمانی را تنظیم کند.

Theranostics (آمیخته از تشخیص و درمان) یک فرایند پیشنهادی از درمان تشخیصی برای بیماران منحصر به فرد است. تا آنها را برای واکنش احتمالی در مصرف یک داروی جدید آزمایش کند و یک درمان مناسب برای آنها بر اساس نتایج آزمایش پیشنهاد کند.

هسته SPION  با یک پوشش سازگار زیستی پوشش داده شده است که ادغام استخلاف های متعدد به یک ذره را اجازه می دهد (شکل ۱). نسبت سطح به حجم بزرگ، ظرفیت بارگیری بالای دارو و اتصال لیگاندهای هدف برای رهایش دارویی تومور خاص و مولکول های نفوذی به غشاء برای تردد داخل سلولی را، اجازه می دهد. با ارائه مولکول زیستی هدف-حساس (target-sensitive) در سطح SPION، ممکن است یک کتابخانه از درمان های نوین و شخصی که می تواند برای درمان بسیاری از بیماری ها مورد استفاده قرار گیرد ساخت. یکی از مهیج ترین حوزه های توسعه ، در ترکیب با ژن درمانی است. استفاده از بسیاری از داروهای بیولوژیکی در حال ظهور، مانند siRNA  و DNA  پلاسمید ، با ناتوانی در عبور درمانگر  به محفظه سلولی سلول های هدف تخریب توسط نوکلئاز ها ، پنهان شده است. نانوذرات بر اساس حامل ها می تواند برای انتقال این ژن ها و انتشار آنها در سایت هایی که در آنها اثرات درمانی خود را اعمال می کنند، مورد استفاده قرار گیرند.

1

شکل ۱.  ساختار نانو درمانیSPION  .

کوچک سازی و مینیاتورسازی اکسید آهن از مقیاس ماکرو (ذره بالک) به مقیاس نانو، خواص فیزیکی منحصر بفردی ایجاد می کند. بویژه، نانو ذرات اکسید آهن سوپر پارامغناطیس می شوند هنگامی که هر ذره شامل یک دامنه مغناطیسی منفرد می شود و انرژی حرارتی به اندازه کافی بالاست تا بر سد انرژی چرخش مغناطیسی،magnetic flipping ( معمولا، کمتر از  ۲۰ nm) غلبه کند. در MRI ، SPION ها غیر همگنی موضعی در میدان مغناطیسی که سیگنال را کاهش می دهد، ایجاد می کنند. بنابراین نواحی از بدن که شامل SPION ها هستند در تصاویر MRI تاریکتر به نظر می رسند. این اطلاعات می تواند در مانیتور کردن جذب SPION ها در پیش بینی کارآمدی درمان استفاده شود.

خواص مغناطیسی هسته سوپر مغناطیس بوسیله اندازه، شکل و غلظت کاستی تحت تاثیر قرار می گیرد به گونه ای که آنها می توانند برای دستیابی به خواص مورد نظر تنظیم شوند.

همچنین شکل و اندازه SPION ها بر خواص مغناطیسی اثر می گذارد. به محض اینکه  نسبت بین طول و عرض SPION ها (aspect ratio) از حالت کروی به میله ای شکل افزایش می یابد. مغناطیس زدایی بصورت آشکاری افزایش می یابد و منجر به افزایش کنتراست MRI  و اثرات هایپرترمی می شود. SPION های کوچکتر که نسبت سطح به حجم بالایی دارند، نسبت به SPIONهای بزرگتر به علت افزایش توزیع لایه مرده مغناطیسی بر روی سطح، مغناطیسی کردن کوچکتری ایجاد می کنند. بنابراین SPIONهای بزرگتر برای خواص مغناطیسی خود به تنهایی مطلوب تر هستند اما موانع و سدهای سلولی و فیزیولوژیک اعمال شده بوسیله بدن اندازه قابل استفاده یSPIONها را محدود می کند.

2

شکل ۲. موانع فیزیولوژیک مواجه شده با نانوذرات دارویی معمول

3

شکل ۳. موانع سلولی مواجه شده با نانوذرات دارویی معمول

توانایی SPIONها برای کاربرد به عنوان عامل کنتراست در MRI و تجمع های طولانی SPIONها در تومورها (به عنوان مثال، هفته ها) به پزشکان اجازه می دهد تا بصورت غیر تهاجمی و مداوم تومور- هدف را مورد ارزیابی قرار دهد و همچنین تحویل درمانی، توزیع، و جذب و پیش بینی پاسخ در بیماران بلافاصله بعد از درمان به گونه ای که دوز دارو را می توان برای درمان موثرتر شخصی سازی کند. با استفاده از پتانسیل تشخیص سلولهای انفرادی برچسب با SPIONها تحت قدرت مغناطیسی بالا، اطلاعات بسیار ویژه ای در رهایش دارو می توان بدست آورد. اخیرا فرمولاسیون های زیادی از SPIONها مانند  I.V. Ferridex و Combidex برای کاربرد بالینی مورد تایید قرار گرفته اند. اما تنها اطلاعات تشخیصی ارائه می دهند.

این کار توسط گروه تحقیقاتی دکتر ام.کیویت فارست در بخش مهندسی و علوم مواد دانشگاه واشنیگتن کشور ایالات متحده انجام شده و در مجله انجمن شیمی آمریکا با آدرس مقابلForrest. M-K, Zhang. M., Accounts of Chemical Research. ۲۰۱۱, ۴۴, ۸۵۳–۸۶۲. به چاپ رسیده است.

 

  • behnam rahimi

آموزش جامع در مورد نرم افزار XPert

behnam rahimi | سه شنبه, ۲۸ بهمن ۱۳۹۳، ۱۰:۱۳ ب.ظ

لینک های دانلود فایل های آموزشی:

https://www.mediafire.com/?xxxk6dn27det7j0

http://www.mediafire.com/view/owkdwr1leyi51ay/نصب_Database1.pdf

  • behnam rahimi

انواع محلول های اچانت

behnam rahimi | سه شنبه, ۲۸ بهمن ۱۳۹۳، ۱۰:۰۸ ب.ظ

فایل زیر حاوی اطلاعات جامعی برای محلول های اچانت مواد فلزی و سرامیکی می باشد.

لینک دانلود:

https://www.mediafire.com/?2epde08g6v9epq4

  • behnam rahimi

وبگاه (سایت) های اطلاع رسانی فارسی مربوط به مهندسی مواد

behnam rahimi | چهارشنبه, ۲۲ بهمن ۱۳۹۳، ۱۱:۲۲ ب.ظ

برخی از سایت های اطلاع رسانی مرتبط با مهندسی مواد در جدول ذیل آمده است:

 

http://www.irfs.ir

جامعه ریخته گران ایران

http://www.imes.ir

انجمن مهندسین متالورژی ایران

http://www.tme.ir

بورس فلزات تهران

http://www.irannano.org

ستاد ویژه فن آوری نانو

http://www.ipsir.org

انجمن پلیمر ایران

http://www.ica.ir

انجمن خوردگی  ایران

http://metallurgy.parsiblog.com

وبلاگ متالورژی

http://www.daneshju.ir

سایت علمی دانشجویان ایران

http://www.iranwelding.blogfa.com

بانک مقالات جوشکاری و متالورژی و بازرسی

http://www.irandoc.ac.ir

مرکز اطلاعات و مدارک علمی ایران

http://www.fanni.info

کانون مهندسین دانشکده فنی دانشگاه تهران

http://www.esfahansteel.ir

ذوب آهن اصفهان

http://www.migmag.ir

بانک اطلاع رسانی بازرسی

جوش،رنگ، عایق و خوردگی

http://manuscript-materials.blogfa.com

مقالات  مهندسی مواد و متالورژی

http://metallurgyiran.ir

باشگاه مهندسین مواد

http://www.imse.ir

پایگاه اطلاع رسانی مهندسی و علم مواد

http://www.issiran.com

انجمن آهن و فولاد ایران

http://www.ime.org.ir

سازمان نظان مهندسی معدن

http://www.iwrec.co.ir/

مرکز پژوهش و مهندسی جوش ایران

 

  • behnam rahimi

10 دانشگاه برتر جهان در زمینه مهندسی مواد ویرایش

behnam rahimi | چهارشنبه, ۲۲ بهمن ۱۳۹۳، ۱۱:۲۲ ب.ظ

رتبه

دانشگاه

کشور

آموزش

استخدام

ارجاع به مقاله

امتیاز کل

1

Massachusetts Institute of Technology (MIT)

United States

100.0

73.7

73.8

89.5

2

University of California, Berkeley (UCB)

United States

96.9

55.7

82.5

88.5

3

University of Cambridge

United Kingdom

96.7

84.4

58.9

84.1

4

Harvard University

United States

76.2

100.0

90.3

82.8

5

Stanford University

United States

83.9

54.1

76.4

78.7

6

University of Oxford

United Kingdom

87.7

76.8

51.6

75.8

7

University of California, Los Angeles (UCLA)

United States

62.1

40.2

86.9

67.4

8

Imperial College London

United Kingdom

77.3

54.1

47.6

66.1

9

ETH Zurich (Swiss Federal Institute of Technology)

Switzerland

70.1

39.5

56.6

63.0

10

California Institute of Technology (Caltech)

United States

73.7

38.9

48.2

62.6

 

  • behnam rahimi

درباره مهندسی مواد و متالورژی

behnam rahimi | چهارشنبه, ۲۲ بهمن ۱۳۹۳، ۱۱:۲۱ ب.ظ

علم مواد چیست؟

مهندسی مواد و متالورژی یا علم مواد شاخه ای از علوم است که بطور گسترده در زمینه مواد مختلف مهندسی مانند فلزات، سرامیک ها، مواد الکترونیکی و بایومتریال ها فعالیت می کند. در این رشته ارتباط بین ساختار مواد، روش ساخت، خواص آنها و عملکرد مواد مورد بررسی قرار می‌گیرد. مهندسی مواد و متالورژی در گذشته در دو زمینه مجزای سرامیک و متالورژی تقسیم‌بندی می­ شده است ولی اکنون شامل طیف وسیعی از مواد از قبیل فلزات، سرامیک‌ها، پلیمرها، نیمه هادی‌ها، مواد مغناطیسی، مواد فوتونیک و مواد بایولوژیکی می­ شود.

یک متالورژیست رفتاری که مواد در شرایط مختلف (فشار و دما) از خود نشان می­ دهد را بررسی می­ کند، به همین جهت، مباحث علوم پایه در علم مواد استفاده زیادی دارد. بیشتر زمینه‌های علوم و مهندسی با مواد سروکار دارند اما تنها رشته مهندسی مواد و متالورژی است که در زمینه تمامی مواد بطور کامل احاطه داشته و روی آن ها متمرکز می‌شود، به عبارتی مهندسی و علم مواد پل ارتباطی بین علوم پایه و مهندسی ساخت می‌باشد. به همین جهت اکثر رشته‌های مهندسی ساخت (برق، مکانیک، عمران، خودرو و کامپیوتر)، مصرف کننده نتایج فعالیت‌های تحقیقاتی رشته مهندسی مواد می‌باشند.

مقاطع و گرایش های مهندسی مواد

ویرایش
 

مهندسی مواد مادر رشته های مهندسی می باشد. با نگاهی به اطراف خود، ردپای مهندسی مواد را در اکثر اجزا ساخته های دست بشر می توان دید.

در حال حاضر این رشته در دانشگاه های ایران،  در مقاطع و گرایش های مختلف ارایه می شود که طبقه بندی آنها به صورت زیر است:

 

جدول مقاطع و گرایش های رشته مهندسی مواد و متالورژی

گرایش

کاردانی

مقطع

صنایع فلزی

کاردان فنی مواد – سرامیک

کاردان فنی مواد – ریخته گری

صنایع فلزی - جوشکاری

متالورژی استخراجی

کارشناسی

متالورژی صنعتی

سرامیک

شناسایی و انتخاب و روش ساخت مواد فلزی

کارشناسی ارشد

شکل دادن فلزات

جوشکاری

حفاظت و خوردگی مواد

استخراج فلزات

ریخته گری

سرامیک

بیومواد

نانو مواد

مهندسی مواد

دکتری

 

  • behnam rahimi