ماده جدید برای تولید تراشه‌های رایانه‌ای کوچک‌تر و سریع‌تر

به گفته محققان چینی، آلیاژی از آلومینیوم و انتیمون در نسل آینده حافظه‌های تغییر فاز، فناوری ذخیره‌سازی داده‌ها را متحول خواهد کرد.

به گزارش سرویس فناوری خبرگزاری دانشجویان ایران (ایسنا)، حافظه‌های تغییر فاز به عنوان جایگزینی برای حافظه‌های فلش مطرح می‌شوند؛ حافظه تغییر فاز از عملکرد بسیار سریعتری در برابر حافظه فلش با حجم ذخیره‌سازی بسیار محدود داده‌ها برخوردار است.

مواد تغییر فاز زمانی که در معرض جریان الکتریکی قرار می‌گیرند، بسرعت از ساختار بی‌نظم به ساختار کریستالی تغییر شکل پیدا می‌کنند.

ساختار جدید دوستدار محیط زیست، دارای مقاومت بالای الکتریکی در حالت غیر کریستالی و مقاومت پایین در حالت کریستالی است.

عملکرد حافظه‌های فلش زمانیکه اندازه دستگاه به کمتر از 20 نانومتر برسد، دچار مشکل می‌شوند؛ اما دستگاه حافظه تغییر فاز می‌تواند ابعادی کمتر از 10 نانومتر داشته باشد که اجازه فشرده سازی تعداد بیشتری حافظه در فضاهای کوچک را امکانپذیر می‌کند.

«شیلین ژو» از محققان موسسه فناوری اطلاعات و میکروسیستم شانگهای تأکید می‌کند: داده‌ها بسرعت بر روی حافظه‌های تغییر فاز نوشته می‌شوند و قیمت این دستگاه‌ها در مقایسه با نمونه‌های دیگر بسیار ارزان‌تر هستند.

نتایج این مطالعه در مجله موسسه فیزیک آمریکا Applied Physics Letters منتشر شده است.